任郝跃微电子不微

2019年度陕西省最高科学技术奖获得者、中国科学院院士常说：“微电子不微。” 郝跃1982年毕业于西北电讯工程学院（西安电子科技大学前身），1998年获国家科技进步奖三等奖，2008年和2009年分获国家科技进步奖二等奖和国家技术发明奖二等奖，2010年获“何梁何利”科学与技术进步奖，2013年当选中国科学院院士，2015年再获国家科技进步奖二等奖。2019年他的团队获得了国家科技进步奖一等奖。 国内对宽禁带半导体的研究，始于20世纪90年代中后期。那时候，相关领域的科学家和技术人员还很少注意到这类新奇的半导体材料。 “要寻找新的研究方向！”当时，郝跃敏锐地觉察到这一点。经过研究和考察，他果断选择了国际上刚刚起步的宽禁带半导体材料与器件研究作为新的研究方向。 从1998年开始，在这个当时别人看来还是“冷门”的研究领域，郝跃带领团队坚持攻关，并为这一学科的建设不断努力。郝跃和团队相继提出一系列具有创新性的高质量材料生成方法、新型半导体材料与器件结构的设想。在他的带领下，团队以基础理论和机理研究为基础，瞄准新的材料，以新材料推动器件发展，以器件发展推动应用，最终应用于国民经济和国防建设。 2004年，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室挂牌，这个专门的机构为更深入地进行科学研究提供了有力支撑；2005年前后，国内宽禁带半导体产业开始发展之时，西安电子科技大学的宽禁带半导体研究已经有了深厚的积累，出版了国内最早探讨宽禁带半导体的专著《碳化硅宽带隙半导体技术》；2007年，宽带隙半导体技术国家重点学科实验室获批；2019年，国家工程研究中心建设获批。 如今，以郝跃为学术带头人的宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，已成为国内外宽禁带半导体材料和器件科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地，引领我国宽禁带半导体研究自主发展，服务产业工程应用。 在不断突破宽禁带半导体领域基础研究的基础上，郝跃及其团队坚持服务国家重大需求。他主持的研究成果突破了氮化物半导体材料和核心设备、先进的氮化镓微波和毫米波高功率、高效率电子器件，以及紫外和深紫外氮化镓光电LED的核心技术；将氮化镓微波功率器件的效率提高到了当前国际最高纪录的85%，几乎达到了半导体微波功率器件电能转换的极限；攻克了氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术，实现了我国在该领域的重大突破。目前，这些成果在4G和5G通信的基站、先进雷达系统、电力电子系统、紫外医疗、彩色印刷固化等领域都得到了广泛应用。 此外，团队在人才培养、科研成果转化等方面硕果累累。郝跃先后获得国家级教学成果奖二等奖、陕西省教学成果奖特等奖、国家级教学成果奖一等奖。郝跃及其团队获得授权国际和国家发明专利近300余项，并将科研成果转化到多家企业，为我国新型半导体器件的产业发展作出了突出贡献。