3年建15座半导体厂中韩明年将全面打响半导体市场争夺战

11月22日，韩国“商务”网站发文称，随着长江储存武汉3d闪存工厂以及晋江、合肥dram内存工厂的陆续投产，中韩的半导体企业将在明年打响“全面战争”。

中韩半导体战争打响

该报道援引国际半导体设备与材料协会（SEMI）的统计数据称，从今年到2019年，中国（）境内处在建设当中的半导体工厂就达到了15家，比韩国（3）、日本（4）、地区（7）加起来都要多。在投资规模方面，中国2015年在半导体设备的投资额就已经位居世界第四，到了明年，中国的投资额将占全球投资额的21%，仅次于韩国。

报道认为中国半导体产业飞速发展的最强动力就是政府的支持。“商务”援引《中国制造2025》规划的内容称，中国政府高度重视半导体产业的国产化，预计在2020年要将集成电路的自给率提高到40%，到了2025年则提高到70%。为此，中国政府和金融界筹集了庞大的资金，报道援引《华尔街日报》的推测说：“仅是中国为支持半导体产业而设立的基金，就高达1000亿美元以上。”

该报道还称，中国半导体企业明年起将正式生产由三星电子和SK海力士主导的存储芯片，预计将撼动世界芯片行业的版图。

据悉，由清华紫光旗下的长江储存在武汉建造的3D nand闪存工厂预计于明年第二季度就可以投入批量生产，其生产的32层nand闪存距世界先进水平也只有三年的差距。而其他例如晋江的dram内存厂、合肥的dram内存厂，预计到了明年下半年也会进行试产，如无意外，年末即可量产。

不仅如此，报道还称在半导体的设计领域，全球50大设计公司中有11家是中国公司，在代工领域，中国也有着世界第五的水平，即便是韩国向来处于强势地位的存储器市场也面临着中国的冲击。

另外，中国在人才上也奋起直追。报道称，此前已经有前台积电、三星的超级技术专家梁孟松被中芯国际挖去，之后又有联华电子的50名工程师被中国企业一并召走。韩国半导体产业协会常务安启贤表示：“中国为确保半导体技术人才，正在以美日韩三国为对象展开全方位的招聘。”

台积电出身的梁孟松从三星跳槽中芯一事引起过各界的巨大关注(视频截图)

“商务”网站忧心忡忡地指出，最关键的在于中国国内对于半导体有着巨大的需求。一旦中国自己的产品出来，那么就会有华为、小米、oppo、vivo、联想等一大批中国企业为它买单，中国的半导体企业可以借此轻松拿下中低端市场。这对半导体出口占了总出口16%的韩国来说，是致命的。

忧心忡忡的韩国各界

据此前报道，今年9月，韩国政府就曾因韩半导体企业在华设厂有技术泄露的风险而设法阻止三星、海力士等继续在中国开厂。几天前，韩国副总理兼财经院长官林昌烈也称中国正夺走韩支柱产业的主导权，让韩国经济患上癌症。

然而，韩国经济界对于韩国政界的担忧和指责也无可奈何。11月，《中央日报》就曾发文指出，不是韩国企业不怕技术泄露，而是中国市场那么大，如果不在中国设厂，那就等于白白损失市场份额。没有了市场份额带来的资金支撑，韩国企业靠什么维持自己的技术领先优势？

韩国媒体经常援引京东方在面板领域的成就指出“中国威胁”

另一方面，韩国人也有自己的无奈之处。据《东亚日报》10月22日报道，韩国今年的半导体产品销售额超越了地区，成了世界第一，取得了可喜的成绩，但在这背后却有不少隐忧。

报道以半导体元件的制造过程为例称，在半导体制造过程中非常重要的沉积、微影、蚀刻、针测等步骤基本被美国、日本、荷兰的技术所垄断，韩国企业涉及的基本都是技术要求不高的后段工序，尽管韩国声称自己的设备国产化率已经达到了30%，但实际上并没有进行过任何严密的调查。

在这种情况下，中国在半导体领域的奋起直追就显得威胁更大了，因为中国不仅在销售端有着不错的成绩，还涉足了韩国企业未曾涉及的高技术领域。韩国《世界日报》就预言，无论怎样，全球半导体市场明年会有一场大战。

在半导体设备方面，明年中国有望跃升全球第二大市场。2016年，中国已是全球第三大半导体设备市场，据美国半导体产业协会(SIA)预测，2017年全球半导体市场规模有望达3460亿美元，同比增长2.1%，中国有望在2018年跻身全球第二大半导体设备市场。

在尖端制造业方面，中国也开始超越韩国。在今年三季度全世界售出的智能手机中，每10部就有5部(47.1%)是华为、OPPO、小米、VIVO等中国企业制造的产品。相当于排名首位的三星电子和排名第八的LG电子等韩国产智能手机的两倍。

文章还称，中国企业腾讯、阿里巴巴、百度等在内需市场积累了竞争力，已经发展到了“威胁”美国硅谷的水平。腾讯2012年起跻身游戏和移动聊天工具世界第一和第二名，中国电商阿里巴巴11月11日光棍节的打折活动，仅一天就创下1682亿元的销售额，超过了美国的竞争对手亚马逊。

韩国半导体产业为何如此牛？

因为在数十年前，韩国就开始举国之力押宝半导体产业了。

起步阶段(1965—1973)

韩国半导体产业发端于1965年，是从作为美日半导体厂商投资为主的组装基地开始的。时值韩国由进口替代转为出口导向战略，开始注重转向高潜力行业，为此积极鼓励外国高科技企业在韩国投资设厂。

首先进入韩国的是一家叫Komi的小型美国企业，1965年Komi公司向韩国投资建设晶体管/二极管极管生产设施，这为韩国半导体工业的发展打下了基础。该公司的投资不大，象征意义大于现实意义，但还是起到了很好的带动作用。

韩国半导体产业的真正开始则始于美国仙童公司，仙童公司是当时全球第三大半导体公司，技术上属最领先行列。1966年，仙童公司向韩国政府提出了一个框架性的半导体制造及装配计划。但该公司所提条件十分苛刻——要求对其所投资的工厂拥有完全所有权，并且其生产的产品可进入韩国国内市场。韩国政府经过考虑，最终同意其要求。

这引发了美国公司竞相进入韩国热潮，到1974年，韩国已经有9家拥有完全所有权的美国公司。

这些美国公司包括Motorola，Fairchild，COMMY，KMI，Signetics(Phillips)等，这些半导体跨国企业开始向韩国直接投资，形成了建立记忆芯片组装厂，利用韩国廉价劳动力，采取组装半成品散件，然后全部再出口的典型来料加工模式。基于当时美国国内工资居高不下，造成产业成本上升、竞争力下降的现实，美国半导体企业转而将制造环节移往韩国等国家；同时韩国也放松了对外国投资企业的所有权控制，美国也以免除海外装配产品关税的形式，来回报韩国在越南战争中对美国的支持，并鼓励对韩国进行投资，这也带有美国扶持韩国发展的意图。

此后，韩国国内企业(亚南、LG半导体、现代)也各自通过与美国的技术合作，参与到半导体组装生产，由此构建了几乎将所有产品用于出口的外向型组装生产体系(98％的组装生产产品供出口)。

1965年韩日实现邦交正常化，日本电子跨国企业开始在韩国投资建立封装和测试工厂。1969年，韩国电子与日本东芝合资，开始在国内生产三极管和二极管，半导体企业也开始生产三极管等的部分元器件。东芝作为第一个对韩国的投资者，达成了与韩国合资建立硅晶体工厂的计划，在朴正熙的亲自干预下，投资所在地龟尾很快于1970年建成了韩国第一个电子工业园区。龟尾工业园区也成为了韩国工业起飞的基地。

发展扩大阶段(1974—1980)

20世纪70年代韩国工业化进程快速推进，出口贸易中电子工业的比重不断扩大。半导体组装领域，在美日企业的带动下，韩国国内企业及取得了一定成就。但与此同时，韩国电子企业严重缺乏自主技术，过分依赖国外供应商提供芯片等基础性电子组件，这使得政府制定了施政纲领，强调发展半导体制造业、获取半导体技术能力的重要性。

韩国政府为此倾注了大量努力，1973年，国家科学技术委员会成立，朴正熙亲自担任主席，为高科技领域的发展框架制定详细的发展计划。1975年，政府又公布了扶持半导体产业的六年计划，强调实现电子配件及半导体生产的本土化。该计划明确指出通过建设一批研究机构，培训电子工程师及获取海外公司特许，引进顾问工程师来实现国家计划，而非通过跨国公司的投资。韩国半导体技术吸收能力形成于此，同时也未让外国投资企业控制韩国半导体产业。

1974年，韩裔美籍博士姜基东创立了第一家韩国本土半导体企业——韩国半导体公司，该公司专门生产芯片，这标志着韩国半导体工业的发展萌芽阶段的来，也标志着真正意义上由韩国控制的半导体企业的诞生，韩国企业在尝试着朝本土芯片制造上迈出了第一步。

20世纪80年代初，韩国出现了从事半导体晶圆制造的四家公司：三星、现代电子、乐喜金星和大宇。但其技术水平和生产规模还只是保持在大规模集成电路的生产能力上，其成就也是由韩国政府对产业刺激、市场对产品需求旺盛所推动的。

其实，韩国在此时已具备了先进的超大规模集成技术能力，但却并不是四大公司开拓的，而是设在龟尾的公共部门电信研究中心下属产业研究院在1976年率先获得的。该产业研究院设有半导体设计、加工和集成三个中心，各中心都由具备在美半导体工业有过研究经历的韩籍人员负责。产业研究院通过与美国硅谷一家超大规模集成技术公司建立合资企业，1978年设立了韩国首家超大规模集成电路试验生产工厂。1979年，该工厂已完全具备了自主生产能力，生产出了16K DRAM。

20世纪70年代，韩国已经陆续从美国和日本获得了半导体工业所需技术，韩国已经具备了进入超大规模集成电路工业的技术水平。

体系形成阶段(1981—1988)

1979年朴正熙被暗杀，全斗焕夺取政权，又进入了军事政权统治。全斗焕政府渴望韩国主要电子企业加大对超大规模半导体的研发与生产，以期对抗美日。强大的政府干预能力、高学历人才充足等优势，使得韩国半导体产业自从1982年具备了完整的生产体系，在政府和民间的共同努力下，半导体产业取得了飞速发展。到1980年底，部分无晶圆企业依托美国企业的OEM代工工厂，日本的日立公司也通过与LG半导体进行技术合作，以OEM方式生产1M和4M DRAM。

同时，韩国政府的多个部门于1981年正式通过《半导体工业综合发展计划》，这也成为了第一个五年计划(1981～1986)的一部分，该计划支持4M．256MDRAM的开发，并通过人才的培养，促进半导体产业的基础建设。该计划具体明确了需要大力发展的四个领域：超大规模集成电路、计算机、通信设备和电子部件。在半导体领域，其计划侧重于晶圆制造，而非处于末端且技术含量较低的封装测试，并确立了将大规模生产内存芯片用于出口而非满足国内需求作为最可行的战略。

在此基础上三星、现代和LG在得到政府的鼓励下，从1982年开始宣布大举参与超大规模集成技术水平的大规模芯片生产，尤其在DRAM领域。1983年开始成为美国IBM、TI、Intel等的OEM代工工厂，从而逐步拥有DRAM基础生产设备，正式走上了DRAM制造业的发展道路。由此，到1988年，韩国半导体生产总额的70％由OEM出口构成。

追赶与超越阶段(1988年以后)

1987年6月在化浪潮中全斗焕下台，年底卢泰愚当选，尽管同为军人出身，政府也依然带有军人政权性质，但政府与当时已确立起来的几家大财阀仍然坚持实施高科技发展战略。

20世纪80年代是韩国本土自主半导体产业诞生并达到超大规模集成技术标准的关键时期，但由于缺乏自主核心，并未在世界市场上引发很大的反响。真正使得韩国制造商进入美国市场、并奠定行业地位的4MDRAM。韩国于1986年开始进入存储器的自主开发阶段，至1988年之前是在国外原型基础上进行开发，并由三星在1991年大规模投放市场，现代和LG紧随其后。

1992年末又与美日等先进国家同期开发出64M DRAM，并拥有了世界上第一块64M DRAM芯片，完成了在DRAM领域上的追赶，到1995年领先美日开发出了256M DRAM，从而实现了技术的飞速跨越。

不过，作为韩国尖端技术先导产业的半导体产业，除芯片加工制造及组装技术外，韩国这一产业的整体水平仍处于初级阶段。例如ASIC3技术在发达国家已处于成熟阶段，而韩国仍处于初级阶段。不过韩国在半导体产业仍占据很大优势，因为集成电路的加工制造及组装属于劳动密集型领域，韩国比起发达国家在劳动力成本等方面更有优势，具备了一定的国际竞争力。

从整体发展局势上看，1986年至1989年韩国经历了半导体产业高速发展的黄金时期。1989年之后受世界半导体行业不景气的影响，韩国半导体产业大受挫折。但从1993年起，韩国电子产业转入生产与个人电脑相关的产品，同时受日元升值及产业复苏的影响，到1995年韩国整个电子产业的发展达到巅峰，半导体总产值达到16215亿美元，占全球半导体产品产值的10.17％，产业的出口值创下历史新高。

之后，1998年亚洲金融风暴爆发，各国都积极重整企业以振兴经济。三星集团也采取了“集中”策略，电子部门便是该策略中的重要一环。这种集中资源、积极推进的策略效果非常明显：三星在1999年之后一跃成为韩国第一大集团，其存储器产品、薄膜晶体液晶显示器(TFT-LCD)及无线通讯产品销售额大幅增长，韩国的DRAM市场占有率开始超过日本，并成为存储器市场的领导者。

以2016年全球半导体20强的营收为例，前20强中美国公司营收总和遥遥领先1197亿美元，世界第一；2016年韩国三星+海力士两家营业收入为587亿美元，仅次于美国位居世界第二；世界第三是我国，台积电+联发科+联电为423.89亿美元；世界第四是欧洲，有三家NXP+英飞凌+ST为243.5亿美元。整个欧洲还没有韩国的一半，是韩国的41.5%；世界第五是日本，索尼+瑞萨+东芝三家加起来是213.74亿美元，只有韩国的36.4%。

单从营收来看，韩国是世界第二半导体强国，比欧洲和日本加起来还要多。

实际上，由于存储器在2017年的疯狂增长，韩国成为全球半导体领域增长最快的国家。根据ICinsight 2017年10月的预计，2017年NAND闪存市场强势增长44%，DRAM市场更是逆天增长74%，两相加持之下，带动2017年IC市场将实现强劲增长22%。

也就是说，2017年存储器占世界半导体的份额不是23%了，而是30%。这直接使得三星和海力士今年大赚特赚。