两重天ARM宣布裁员1000人英特尔SK海力士恩智浦罗姆富士康等投资建厂扩大产能
01 两重天！ARM宣布裁员1000人；英特尔、SK海力士、恩智浦、罗姆、富士康等投资建厂，扩大产能 ◎英伟达放弃以400亿美元收购之后，ARM宣布裁员 1000 人 3月15日早间消息，英国芯片公司 ARM透露，计划在全球范围内裁员 12%至15%，最多1000 人。大部分裁员将发生在英国和美国，但没有提供在各个国家的具体裁员数字。 该公司在公告中表示：“与任何其他企业一样，Arm正在不断审查业务计划，以确保公司在机会和成本之间取得适当的平衡。不幸的是，这一过程包括提议裁减Arm的全球员工。” 在此之前，英伟达曾计划以400亿美元收购ARM，但这项计划遭到欧洲和美国监管机构的阻挠，美国联邦贸易委员会（FTC）甚至发起法律行动，以阻止这笔交易。在经过一年多审查之后，软银将 Arm 出售给英伟达的交易以失败告终，双方已同意于 2022 年 2 月 8 日终止协议。根据协议条款，软银将保留英伟达预付的 12.5 亿美元，这笔钱将在第四季度记为利润，而英伟达将保留其 20 年的 Arm 授权。 ◎英特尔将宣布欧洲投资计划细节，暗示新工厂选址已敲定 据英特尔官方消息，太平洋夏令时间 3 月 15 日上午 6 点，也就是北京时间晚 9 点，英特尔CEO 帕特・基辛格将举行网络直播，分享英特尔在欧洲半导体研发和制造方面的最新计划的详细信息。 英特尔表示，作为其 IDM 2.0 战略的一部分，英特尔致力于投资研发能力和制造能力，以满足对先进半导体不断增长的需求，并建立更具弹性、全球平衡的供应链。 英特尔于去年9 月公布了未来 10 年在欧洲投资 950 亿美元的计划，帕特・基辛格 1 月表示，公司将在未来几个月宣布选定的制造地点。今年2 月，欧盟委员会提议立法，通过补贴当地发展，帮助建立先进半导体工厂，这让英特尔等公司受益。 英特尔目前在欧洲的爱尔兰有一家半导体生产工厂。新工厂将生产更先进的芯片。据两名知情人士透露，主要工厂将设在德国，马格德堡（Magdeburg）可能是这家德国工厂的选址。另外，英特尔也可能在意大利和法国开设联合工厂。意大利还计划在 2030 年之前拨出 40 亿欧元来吸引芯片制造商，以促进当地芯片制造业的发展。 ◎富士康与沙特阿拉伯谈判，欲在沙特建造90亿美元半导体代工厂 富士康正在与沙特阿拉伯谈判，考虑合作建设一座工厂，投资 90 亿美元，主要生产微处理器、电动汽车组件及电子产品。 知情人士透露，沙特阿拉伯正在评估富士康提出的投资提议，即在Neom建设一座双线半导体代工工厂，用于制造与表面黏著技术（SMT）有关产品以及晶圆。沙特希望富士康保证工厂至少三分之二的产量能流入富士康现有供应链。富士康已经准备在省、印度扩充产能。它之前还曾计划投资 100 亿美元在美国威斯康星建厂，但最终投资规模大大缩减。 富士康是全球最大的电子产品代工制造商，也是苹果公司的主要供应商之一。近年来，该公司已将业务扩展到电动汽车和半导体等领域。在中美贸易紧张关系影响到半导体行业之际，富士康，台积电等企业都在寻求生产多元化。 ◎SK海力士系统IC和恩智浦不断提高在中国的产能 目前，SK Hynix System IC和总部位于荷兰的恩智浦半导体公司都已扩大其在中国的生产基地。SK海力士欣正在推进其8英寸代工厂子公司SK海力士系统芯片迁至中国东部江苏省无锡市。 根据Business Korea的一份报告，该计划预计将于今年上半年完成。SK海力士系统IC是位于韩国清州的M8晶圆厂，占地33000平方米。据报道，该公司已将该晶圆厂的全部生产设备出售给无锡的合资公司，产能转移将于今年2月完成。 恩智浦半导体（天津）刚刚完成了位于中国北方天津市的IC测试中心二楼的建造。根据天津经济开发区（TEDA）的数据，其一楼于2021年8月投入生产，这是恩智浦测试中心的所在地。该项目由恩智浦半导体（天津）有限公司投资建设，由中国最大的IC项目设计院EDRI设计建造，占地14900平方米。 2021年，恩智浦营业收入达到110.63亿美元，同比增长28.46%，营业利润为25.83亿美元，同比增长517.94%。恩智浦表示，其2021年的收入同比增长28.5%，主要是由于该公司四个终端市场的增长复苏，在汽车、工业和物联网领域表现非常出色。 ◎罗姆将增加在马来西亚的产能 据外媒报道，日本半导体制造商罗姆正在扩大其在马来西亚吉兰丹（Kelantan）的电子元件工厂，总投资为9.1亿马来西亚令吉（约合1.97亿欧元）。通过这项投资，罗姆预计将创造超过340个高技能工作岗位。这笔投资将给罗姆在其现有的场地内建造一座新大楼。 随着扩张，罗姆正在响应对半导体的强劲需求，并推动模拟大规模集成(LSI)和晶体管的多站点生产系统。新大楼的建造一旦完成，将把罗姆运营的整体生产能力提高约1.5倍。新的三层建筑将为罗姆提供总建筑面积29,580平方米，目前计划于2022年第一季度开始建设，预计于2023年8月完成。 02 华为加速扩张半导体“芯”版图，旗下半导体投资平台深圳哈勃注册资本增至70亿 近日，深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）（以下简称“深圳哈勃”）工商信息发生变更，注册资本从45亿元增至70亿元，增幅55.56%。 从股东及出资额来看，深圳哈勃此次并未引入新的投资方，其第一大华为技术有限公司出资额从31.05亿元增至48.3亿元，华为终端（深圳）有限公司的出资额从13.5亿元增资21亿元，哈勃科技创业投资有限公司出资额从4500万元增至7000万元。 增资完成后，华为、华为终端、以及哈勃科技对深圳哈勃的持股比例不变，依然分别为69%、30%、以及1%。 资料显示，深圳哈勃成立于2021年4月15日，是华为旗下的半导体产业投资平台之一。成立之初，深圳哈勃的注册资本为20亿元，随后在2019年9月份进行了第一轮增资，注册资本增至45亿元，增幅高达125%。 换言之，从成立之初的20亿元到如今的70亿元，深圳哈勃注册资本增幅已高达250%，这意味着华为在半导体领域的布局或将进一步扩张。 公开资料显示，深圳哈勃充分发挥其作为华为旗下投资机构的优势，频频出手投资半导体企业，在一年不到的时间内，深圳哈勃已经对外投资了21家企业，平均每月对外投资约2家企业。作为重要的产业投资平台，哈勃对于华为布局半导体芯片版图的重要性不言而喻，未来华为在该领域的投资举措也将更加值得期待。 03 中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展 近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与日本东京大学盐见淳一郎团队合作，在氮化镓（GaN）—金刚石晶圆键合技术领域取得了新进展。 该项研究创新地使用了表面活化键合法（SAB），以纳米非晶硅为介质在室温下达成了氮化镓—金刚石键合，系统揭示了退火中键合结构的界面行为及其影响热导和热应力的机理，发现了纳米非晶硅层在退火中再结晶从而降低界面热阻的现象，展现了该键合技术在热导、热应力控制及可靠性方面的明显优势。 为实现高可靠性、大功率密度的GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的系统小型化，将GaN集成在金刚石基底上的GaN-diamond异质集成方法受到广泛关注。 目前实现该异质集成结构主要有外延生长和键合两种方法，相较于外延生长存在热应力、热损伤和低界面热导层等问题，键合技术因具有高热导、低热应力的优势，作为器件优先工艺颇具前景，通过表面活化法在室温下获得的GaN-diamond异质键合结构，其界面热导已与外延生长法制备的水平相当。 然而，室温下获得的GaN-diamond异质键合结构，其高温下的热稳定性研究尚不彻底，而该稳定性对后续器件的外延生长及刻蚀的影响至关重要，此外，介质层对键合结构的热导影响也应得到重视，以期找到最优化的溅射沉积厚度。 本研究通过溅射沉积纳米非晶硅层结合离子束表面活化方法达成了GaN在金刚石上的异质集成，采用时域热反射（TDTR）和透射电镜对不同厚度纳米非晶沉积层样品的键合界面在退火前后进行了测试与表征，深度剖析了其成分与组织的演变行为及其对界面热导的影响。 【内容整理于快科技、全球半导体观察、it之家、集微网等仅供交流学习使用，谢谢！】
