复旦学者开启芯片新篇章3nm技术迈向前沿国产之星绚烂照耀未来
近年来，芯片工艺制程的微缩令全球半导体领域陷入摩尔定律即将面临物理极限的瓶颈。但没有什么能够难倒行业巨头，台积电、三星、ASML包括各国相关研发团队，都在试图从新的角度革新半导体芯片制造业。尝试新的材料取代硅便是思路之一，目前我国在这方面已经掌握领先全球的技术，实现了碳基晶圆的生产。
还有一种让芯片性能得到高度提升的方法，那就是改进晶体管技术。传统的FinFET晶体管技术在制程不断微缩的情况下，已经难以有新突破，所以相关企业或团队展开了对晶体管新型技术的研发探索。12月17日快科技传来消息，我国复旦大学微电子学院宣布，该校周鹏教授的团队成功攻克难题，在3nm芯片关键技术上取得重大突破。
据悉，周鹏教授的团队针对具有重大需求的3-5nm节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的小围栅多桥沟道（GAA）晶体管，这项成果已被提交至第66届IEDM国际电子器件大会线上发表。这类GAA晶体管相比传统FinFET更能实现更好的栅控能力以及漏电控制。
数据显示，由周鹏教授团队设计并制造出的超薄围栅双桥沟道GAA晶体管，其驱动电流与普通MoS2晶体管相比实现了400%的大幅提升，而且漏电流降低了两个数量级。这意味着，在5nm以下高精度工艺节点上，可以延续摩尔定律，使得GAA成为推动产业发展和应用创新的一把钥匙。
提及此事，不少读者可能都对GAA技
