复旦教授开启芯片之门3nm技术的先锋探路者国产芯片之星绽放光芒
近年来，全球半导体领域正处于摩尔定律即将面临物理极限的紧要关头。为了打破这一瓶颈，行业巨头们都在寻求新的突破点。其中一种方法是探索新材料，以取代传统的硅材料。这一领域，我国已经取得了领先全球的技术成果，并成功实现了碳基晶圆的生产。
另一种方法是提升晶体管技术。在制程不断微缩的情况下，传统FinFET晶体管技术已难以再有新突破，因此相关企业或团队纷纷投入到对晶体管新型技术研发探索中。12月17日，一则来自快科技的消息披露了我国复旦大学微电子学院的一项重要进展：周鹏教授团队在3nm芯片关键技术上取得了重大突破。
据悉，该团队针对具有重大需求的3-5nm节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的围栅多桥沟道晶体管（GAA）。这些GAA晶体管不仅实现了低泄漏电流与高驱动电流的融合，而且展示出了更好的栅控能力以及漏电控制能力。
数据显示，这种超薄围栅双桥沟道晶体管设计制造出的驱动电流，与普通MoS2晶体管相比提升到了400%，而漏电流降低到了两个数量级。这意味着，在5nm以下高精度工艺节点上，GAA可以让摩尔定律延续下去。
此前三星和台积電早已掌握GAA技術，並且三星甚至将其应用到量产中的3nm芯片中。而台积電則較為保守，在3nm工藝上仍使用傳統且成熟的FinFET技術。中芯国际也正在推进自己的5nm和3nm最关键、最艰巨的八大项技术，只待EUV光刻机到货。
总结来说，由于全国各地共同努力，我国国产芯片未来可期。在这场激烈竞争中，每一步创新都是向前迈出的一步，而复旦教授团队成功攻克难题，无疑为国产芯片产业提供了一盞明灯，为我们指明方向。
