IDT推出DDR3内存模块高精度温度传感器
“IDT推出针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高精度温度传感器。 ” IDT推出针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高精度温度传感器。新器件有助于企业、移动及嵌入式计算系统以最高效率运行，通过监测各子系统的温度来节省总电力，提高可靠性和性能。 IDT温度传感器可测量计算子系统的局部温度，一旦温度上升超过预定水平，系统就会通过控制系统带宽、调整内存刷新率或改变风扇速度进行响应。此外，如果温度达到临界点，新的IDT温度传感器可以触发一个子系统关闭，从而提高可靠性。IDT的产品包括一个独立温度传感器（TS3000B3），以及一个集成在单片片芯上的非易失内存用户信息的256字节 EEPROM阵列，如内存模块的串行存在探测（SPD）的系统配置信息。 IDT温度传感器系列超过了美国电子工程设计发展联合会为B级别温度传感器规定的JC42.4规范要求的产品，可在-20°C至+125°C之间的整个温度范围内提供 ±1°C的温度传感精度，从而提供了更好的系统精度。该器件还集成了一个创新的模数转换器，可提供高达12位（0.0625°C）的可编程分辨率和业界领先的转换时间，大大改进了整个温度范围热控回路的整体精度。 此外，温度传感器完全支持SMBus 和I2C编程接口，包括SMBus 超时和I2C快速模式、输入干扰过滤和上电滞后——所有这些都旨在提高容错能力。这种性能与功能结合使IDT 器件改善了每瓦性能，是强大计算系统的理想之选。 供货IDT 温度传感器件已向合格客户提供样品。器件采用符合 RoHS 规范的 8 引脚 DFN 和 TDFN 封装。欲了解有关器件的更多信息，请浏览：/go/TempSensor。
