ST推出最新STripFET VI DeepGATE功率MOSFET
| 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）扩大采用第六代STripFET技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。 最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET可承受高达80V的电压，可用于太阳能发电应用（如微型逆变器）、电信设备、联网设备以及服务器电源。高额定电压可准许晶体管在48V电信应用中稳定工作，高能效还可有效降低运营商网络成本。此外，这项技术不仅可降低消费电子的电源能耗，在可使其在更低的温度下工作，从而提高用户的使用体验，并延长电池寿命。  首批推出的5款产品分别为60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的 STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由于采用了意法半导体最新的DeepGATE™沟道MOSFET架构，这五款产品拥有业界同类产品最低的单位芯片面积通态电阻。这些低损耗器件选择多种微型工业标准封装，使客户能够提高系统能效，同时降低印刷电路板的尺寸和总体组件数量/成本。 主要特性： • 60V和80V击穿电压 • 0.0016Ω通态电阻 (STH260N6F6-2) • 180A额定电流 (STx260F6N6) • 100%雪崩测试 采用TO-220封装的STP260N6F6、STP210N75F6与采用H2PAK-2贴装的STH210N75F6-2、STH260N6F6-2 目前已上市。 采用PowerFLAT 5x6封装的STL75N8LF6预计于2011年第三季度推出样片。PowerFLAT封装可缩减芯片的占板空间，同时优化输出电流。 详情请访问www.st.com/pmos
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