英飞凌史上最大单笔投资瑞萨或海外扩产德州仪器再建一座晶圆厂
近日，英飞凌、瑞萨、德州仪器、Rapidus等芯片大厂纷纷启动新晶圆厂建厂计划，业界预估四家大厂在扩产投入的金额达到250亿美元。 英飞凌：投资50亿欧元德国建厂，史上最大的单笔投资 2月16日，英飞凌表示，已获准在德国德累斯顿建设一座价值50亿欧元(53.5亿美元)的芯片工厂，计划于2026年投产。英飞凌表示，这将是它历史上最大的单笔投资，预计创造约1000个工作岗位。该公司正在为此项目寻求10亿欧元的公共资金。 英飞凌还称，计划建设的工厂将生产功率半导体和模拟/混合信号组件，满负荷生产时，其每年的营收将与投资额大致相同。 德国经济部批准了该工厂的早期项目，允许英飞凌在欧盟委员会完成法律补贴方面的检查之前开始建设。德国经济部长罗伯特·哈贝克对这一消息表示欢迎，他认为这是德国具有商业投资吸引力的一个标志。 瑞萨：考虑扩大日本以外芯片产能 2月16日，日本车用芯片大厂瑞萨电子表示，为降低未来对车厂和其他重要客户的供应链中断风险，考虑扩大日本以外地区的芯片产能。 瑞萨CEO柴田英利表示，日本在建造和营运新厂上面临着一些挑战，包括相对高的水电成本、地震和人才有限。拥有许多选项总是比较好，不只是在日本，而是各个地区。 尽管整体半导体业市况波动，但瑞萨本月稍早表示，车用产品库存仍低于公司目标水准。柴田当时说，下季目标是将供应量提高到略高于预期需求。 德州仪器：将在犹他州李海建第二座12英寸晶圆厂 2月16日，德州仪器计划在美国犹他州李海 (Lehi) 建造第二座 12 英寸半导体晶圆制造厂。该工厂紧邻德州仪器位于该地区的现有 12 英寸晶圆制造厂 LFAB，建成后，这两个工厂将合为一个晶圆制造厂进行运营。这是该公司在犹他州110亿美元投资的一部分。 新工厂预计将于 2023 年下半年开始建造，最早于 2026 年投产。该工厂将加入德州仪器现有的 12 英寸晶圆制造厂阵营，包括德州达拉斯 (Dallas) DMOS6；位于德州理查森 (Richardson) 的 RFAB1 和 RFAB2；以及位于犹他州李海 (Lehi) 的 LFAB。同时，德州仪器正在德克萨斯州谢尔曼建造四座 12 英寸半导体晶圆厂。 即将接棒德州仪器总裁及首席执行官的现任执行副总裁及首席运营官 Haviv Ilan 表示：“这个新工厂是我们12 英寸晶圆产能长期规划的一部分，以满足未来几十年内客户的需求。电子产品、尤其是工业和汽车市场的半导体需求预计将在未来持续增长，现在正是我们进一步扩大自有制造能力的最佳时机。” Rapidus：考虑在日本北海道建芯片厂 2月15日，据东京电视台报导，由日本国家支持的芯片企业Rapidus正考虑在日本北海道建设第一家制造厂。 Rapidus表示，最早可能会在2月底正式决定新工厂选址，北海道西南部约有10万人口，千岁市是一个可能的选址地点。 Rapidus是丰田汽车、索尼和其他六家日本公司成立的一家合资公司，它与IBM签署了合作协议，将共同开发2纳米芯片项目。Rapidus的目标是从2027年起量产这种芯片。 日本政府已表示将向Rapidus投资700亿日元，Rapidus本月早些时候透露，需要大约7兆日元的资金，其中大部分是政府拨款，才能在2027年量产2nm芯片。 或影响代工厂接单 全球汽车芯片市场中，英飞凌为业界龙头，瑞萨、德仪分居第三、四位，这三家厂商是采用IDM模式，并有类比IC、微等产品，过往多委由台积电、联电等晶圆代工厂生产。 近年车用芯片大厂为了缩短交期，直接向晶圆代工厂接洽合作，特别是下世代车用IC设计更复杂也需要更高阶或特殊的半导体制程支援。随着这些IDM厂大举兴建自有产能，未来车用芯片供应或更顺畅，但也会削减委外代工订单，影响台积电、联电等接单。
