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Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件支持多功率等级为客户创造竞争优势

全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)与适配器USB-C PD集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.(伟诠电子,TWSE:2436)宣布合作推出100瓦USB-C PD电源适配器参考设计。该参考设计电路采用两家公司合作开发的系统级封装(SiP)SuperGaN®电源控制芯片WT7162RHUG24A,在准谐振反激式(QRF)拓扑中可实现92.2%的效率。

Weltrend新参考设计表明,拥有成本优势的SuperGaN SiP IC,适用于65瓦和100瓦适配器 ,为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性

全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)与适配器USB-C PD集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.(伟诠电子,TWSE:2436)宣布合作推出100瓦USB-C PD电源适配器参考设计。该参考设计电路采用两家公司合作开发的系统级封装(SiP)SuperGaN®电源控制芯片WT7162RHUG24A,在准谐振反激式(QRF)拓扑中可实现92.2%的效率。

该参考设计是伟诠电子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓扑USB-C PD适配器控制板。在今年早些时候,伟诠电子发布了65瓦的适配器控制电路。两款适配器控制板采用同一个SuperGaN SiP,与竞争方案相比,客户能够以更优的成本实现100瓦产品设计,从而实现规模效益。这也表明,65瓦功率级SuperGaN SiP同样满足100瓦功率级设计的性能和散热要求。

Transphorm业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示:“基于氮化镓的集成电路可以简化设计,这个想法很棒,但必须“做到集成”,必须是封装内置有必需的的单一集成器件。这正是伟诠电子和Transphorm的SuperGaN SiP的优势所在。我们推出的系统级封装是简单的常闭型解决方案,无需保护电路、驱动器或外部。除此之外,同一颗SiP还适用于65瓦和100瓦的电源适配器。具备了这些亮点的产品和方案,才真正展示出氮化镓所固有的全面的性能优势和稳健特性。目前,只有Transphorm的SuperGaN平台能够实现。”

伟诠电子市场营销副总裁Wayne Lo指出:“伟诠电子在AC-DC电源市场的市占率正不断增长,确保为市场提供最好、最实用的解决方案,对我们来说最为重要。目前,利用氮化镓材料极具吸引力的诸多性能优势,电源适配器市场在不断创新迭代,伟诠电子要做的就是确保客户能够受益于氮化镓的这些优势——不仅在技术上受益,而且能获得更好、更全面的投资回报(ROI)。一颗SiP,既满足适配器物理设计要求,同时又适用于整个适配器系列的不同型号,这是伟诠电子、Transphorm以及客户的多方共赢。这款新发布的100瓦参考设计方案,有力地证明了我们的技术在低价位市场同样具有竞争力,而这只是起步,未来可期。”

100瓦适配器参考设计规格

伟诠电子的通用型100瓦电源适配器验证板按照USB PD 3.0 + PPS 标准设计,用于更快地开发为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能设备充电的各种扁平高性能电源适配器。主要技术规格如下:

Specification规格

Detail详情

GaN Device
氮化镓器件

WT7162RHUG24A SuperGaN SiP

Topology
拓扑

Boundary Mode PFC + Flyback Quasi-Resonant Mode/Valley-Switching Multi-mode Operation
零界模式 PFC + 反激准谐振模式 /谷底开关多模操作

Full Load Efficiency
满载效率

91.2% @ 90 VAC/Full Load
91.2% @ 90 VAC/满载

Overall Peak Efficiency
整机峰值效率

92.7% @ 264VAC/Full Load
92.7% @ 264VAC/满载

Power Density
功率密度

15.8 W/in3 (w/o housing)
15.8 W/in3(无外壳)

Output Voltage Operation
输出电压协议

USB-C PD 3.0, PPS 3.3 V - 21 V

No Load Power Loss
空载损耗

< 50 mW @ 264 VAC
< 50 mW(@ 264 VAC)

Output Voltage and Current
输出电压和输出电流

PPS: 3.3 V – 21 V/5 A
5 V/3 A; 9 V/3 A; 12 V/3 A; 15 V/3 A; 20 V/5 A

EMI Compliant
电磁兼容

Conducted and Radiated
传导和辐射

Dimensions
外形尺寸

69mm x 63mm x 23.8mm

SuperGaN SiP:结构紧凑、成本效益高、加速产品开发

WT7162RHUG24A是一款真正的集成电路,专为应用于45至100瓦USB-C PD电源适配器而设计。该器件集成了Weltrend的WT7162RHSG08准谐振/多模反激式PWM和Transphorm的240 毫欧姆、650 V SuperGaN® FET。该SiP IC是24引脚8x8 QFN封装的表面贴装器件,可实现92.2%的峰值效率。主要优势包括更高的功率密度和更好的散热性能,因此,具有更长期的可靠性,且降低BOM物料成本。如需了解更多信息,请访问:https://transphormusa.cn/en/document/weltsipbd/

供货情况

如需索取演示板和/或SiP样品,请联系Weltrend销售团队:sales@weltrend.com.tw

关于Transphorm

Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码TGAN)是氮化镓的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm总部位于美国加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。官网:www.transphormusa.cn   微信公众号:TransphormGaN氮化镓

关于伟诠电子

伟诠电子(TWSE:2436)成立于1989年,位于“硅谷”新竹科学园区,是领先的无晶圆厂半导体公司,专门从事混合信号/数字IC产品的规划、设计、测试、应用开发和分销,产品用于电源、电机控制、图像处理等多个应用领域。官网www.weltrend.com

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