IGBT管的工作原理及关键技术解析
IGBT管，全称为绝缘栅双极晶体管，是一种将控制电路与电力电子器件集成在一起的半导体器件。其工作原理主要基于电压控制电流的原理，通过在IGBT内部设置一个横向或纵向的pn结，来实现电流的导通与截止。 在正向导通时，电流从阳极流向阴极。当正弦波的电压施加在阳极上时，IGBT内部的mos管首先开启，将栅极与阴极短路，形成一个正向的电流通道。随着电压的继续增加，pn结正向偏置，使得更多的空穴从p区注入到n区，电子从n区注入到p区，形成更大的电流。在内部电场的作用下，电子和空穴分别向对方区域漂移，形成正向导通电流。 在反向截止时，电流无法通过。当负弦波的电压施加在阳极上时，IGBT内部的mos管处于截止状态，栅极与阴极之间开路，无法形成电流通道。此时，由于内部反向偏置的pn结，电子和空穴无法越过势垒，因此没有电流通过。 总之，IGBT管是一种具有电压控制、高速开关、高输入阻抗等特点的半导体器件。其工作原理是基于电压控制电流的原理，通过内部的mos管和pn结来实现正向导通和反向截止。由于其优良的性能和应用广泛，IGBT管在电机控制、电力电子、新能源等领域都有着重要的应用价值。
