7. 低压氧LPCVD和化学气相沉积CVD材料涂覆技艺
低压氧（LPCVD）和化学气相沉积（CVD）：材料涂覆技艺
在芯片的制作流程及原理中，材料涂覆是非常关键的一步。传统上，这一步骤主要依赖于蒸发和电喷涂等方法，但这些方法有局限性，比如无法实现精确控制、温度过高可能会损坏基底等。因此，近年来，低压氧化（LPCVD）和化学气相沉积（CVD）技术逐渐成为主流。
什么是化学气相沉积？
化学气相沉积是一种在工厂条件下可以实现精细控制的薄膜制造技术。在这个过程中，一种含有反应物的气体被引入到一个密闭空间中，与基底发生化学反应，最终形成一层薄膜。这项技术允许生产者通过调整反应条件来精确控制薄膜的厚度、晶格结构以及其他物理特性。
如何进行Chemical Vapor Deposition (CVD)过程？
选择合适的预处理： 在开始实际沉积之前，通常需要对基板进行预处理以清除杂质。
准备好反应物： 这些通常是有机或无机化合物，它们在高温下分解成所需元素。
将其转换为可用于沉積過程中的氣體狀態： 這個步驟涉及到將液态或固态化合物轉換為氣體，這樣才能進行沈積過程。
將氣體導向沈積區域： 這個區域應該具有適當溫度與壓力的環境，以便於反應進行並且能夠產生穩定且均勻的沈積層。
監控沈積過程： 通常需要實時監控系統來確保所有參數都符合預設標準，並且不會出現任何問題。
Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD): 优势与应用
优势
高效率
可以产生较好的薄膜质量
对于某些类型的半导体器件，如MOSFET，其性能受到极致优化要求
应用
制备绝缘层，如SiO2
制备金属掺杂层，如Si3N4
用作光学隔离层，在集成电路中用于保护敏感区域免受辐射影响
结论：
随着科技不断进步，对于微电子行业来说，不断提高制品精度与速度显得尤为重要。由于其能够提供高度可控并能够生产出高质量 薄膜，所以 LPGCD 和 CVD 技术已经成为现代半导体制造不可或缺的一部分。它们对于创建更小，更快，更节能、高性能芯片至关重要，并且它们对于未来的纳米级别电子设备研发也是必不可少的一环。
