复旦学者开启芯片新篇章3nm技术的突破如同登山者攀登高峰国产芯片之路明朗而广阔
。近年来，全球半导体领域陷入摩尔定律即将面临物理极限的瓶颈，但没有什么能够难倒行业巨头，台积电、三星、ASML包括各国相关研发团队，都在试图从新的角度革新半导体芯片制造业。
尝试新的材料取代硅便是思路之一，目前我国在这方面已经掌握领先全球的技术，实现了碳基晶圆的生产。还有一种让芯片性能得到高度提升的方法，那就是改进晶体管技术。传统的FinFET晶体管技术在制程不断微缩的情况下，已经难以有新突破，因此相关企业或团队展开了对晶体管新型技术的研发探索。
12月17日快科技传来消息，我国复旦大学微电子学院宣布，该校周鹏教授的团队成功攻克难题，在3nm芯片关键技术上取得重大突破。这一成果不仅为国内外科研人员提供了新的研究方向，也为推动国产芯片产业发展提供了强劲动力。
据悉，周鹏教授的团队针对具有重大需求的3-5nm节点晶体管技术，对双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm围栅多桥沟道晶体管进行验证，并且实现低泄漏电流与高驱动电流融合。在国际电子器件大会上线发布，这一成果受到业内和学术界的大量关注。
GAA（围栅多桥沟道）晶体管是一种相比传统FinFET更具潜力的新型结构，它能够实现更好的栅控能力以及漏电控制。数据显示，由周鹏教授团队设计并制造出的超薄围栅双桥沟道晶体管，其驱动电流与普通MoS2相比增加400%，漏电流降低两倍，这意味着GAA可以让摩尔定律在5nm以下节点保持良好延续性。
此前三星和台积電都已掌握GAA技艺，而三星甚至将其应用于量产。不过台积電则选择使用传统且成熟FinFET结构。此外中芯国际也正计划利用EUV光刻机推进自己的5nm和3nm工艺开发，以弥补国内目前与海外大厂仍有的差距，但随着国内科技创新步伐加快，一些关键环节逐渐缩小差距，为国产未来可期奠定基础。
总结来说，从这个角度看，我们虽然还落后于一些国家尤其是亚洲几个主要玩家，但我们正朝着这一目标努力，不断地进行创新和完善，让我们的产品更加接近世界水平，最终走向自主可控乃至领先的地位。
