时创意量产1TB UFS 31闪存芯片智能手机等设备性能再升级
【ITBEAR】近日，国内存储技术领域的盛会——MTS 2025存储产业趋势研讨会在深圳成功举办，本次大会由知名分析机构TrendForce集邦咨询精心策划。会上，国内存储巨头时创意SCY惊艳亮相，正式发布了其最新研发的1TB容量UFS 3.1嵌入式闪存芯片，这一创新成果引起了业界的广泛关注。
据了解，时创意SCY在此之前已成功推出了128GB至512GB容量的UFS 3.1芯片，而此次推出的1TB款则进一步丰富了其高速UFS产品线的容量选择，彰显了企业强大的研发实力和市场前瞻性。
这款1TB容量的UFS 3.1闪存芯片，尺寸仅为11×13×1.2mm，采用了先进的153 ball FBGA封装技术，其顺序读写速度分别高达2100MB/s和1700MB/s，能够在极短的时间内完成大量数据的传输和处理，为用户带来更加流畅的使用体验。同时，该芯片还具备出色的温度适应性，能够在-25℃至+85℃的工作温度范围内稳定运行。
据时创意SCY透露，这款1TB UFS 3.1闪存芯片不仅拥有卓越的性能表现，还集成了多项先进的技术特性，包括写入增强、深度睡眠、性能调整通知以及主机性能增强等，进一步提升了芯片的稳定性和可靠性。该芯片还采用了LDPC3.0 ECC纠错技术，能够有效降低数据传输过程中的错误率，确保数据的完整性和安全性。
这款1TB UFS 3.1闪存芯片的发布，无疑将为智能手机、平板电脑、AR/VR头显、无人机以及安防监控等领域带来全新的存储解决方案。凭借其卓越的性能和广泛的应用场景，该芯片有望在未来的市场中占据一席之地。
