美光躍上2年半高DRAMNAND吃紧 Q3料涨价1-4
DRAM、NAND型快闪记忆体传出供给吃紧的现象，而美光(Micron Technology, Inc.)股价也一路登高。 barron`s.com报道(见此)，R.W. Baird分析师Tristan Gerra发表研究报告指出，根据他在亚洲的调查，DRAM供給正在逐渐吃紧，DRAM、NAND型快闪记忆体的订价则有望在Q3出现1-4%的成长率。 报告称，DRAM供给吃紧、报价也会在Q2和Q3呈现季增；其中PC內建的DRAM容量预料会在今(2017)年增加10%、伺服器则会增加25%。另外，64层3D NAND型快闪忆忆体扩产速度低于预期，下半年应该会让市況持续出現短缺。 美光7日劲扬2.95%、收32.5美元，创2015年1月9日以來收盘新高，涨幅居費城半导体指数30支成分股之冠。 东芝(Toshiba Corp.)决定出售半导体事业，但竞标者众、过程冗长，可能让NAND型快闪记忆体持续短缺。韩联社5月24日报道，Shinhan Investment研究员Choi Do-yeon发表研究报告指出，东芝的3-D NAND快闪记忆体投资计划势必将因此延后，这会让供给短缺更加恶化，也为三星电子(Samsung Electronics Co.)、SK海力士(SK hynix Inc.)制造更多扩产良机。 另一方面，三星电子率先量产18奈米DRAM，把同业拋在脑后。竞争对手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)则不甘示弱，纷纷砸钱要追上三星。 Nikkei Asian Review、BusinessKorea报道，三星是DRAM龙头，制程领先对手1—2年，2016年下半首先量产18奈米DRAM，计划今年下半推进至15奈米。IHS Markit估计，今年底为止，三星打算把18奈米DRAM的生产比重，提高至30%。业界人士說，三星会以利润优先，不會扩产抢市，打乱价格。 三星一马当先，DRAM第三大厂美光拼命追赶，计划未來兩三年砸下20亿美元，研发13奈米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。进入13奈米制程之后，同一片晶圆能分割成更多晶片，生产力将提高20%。美光已于今年第一季量产18奈米DRAM。 与此同时，SK海力士也准备在今年下半量产电脑用的18奈米DRAM，接着再投入行动装置用的18奈米DRAM。SK海力士会优先提高21奈米制程良率，之後转進20奈米、再转向18奈米。SK海力士人员透露，该公司正在研发1y DRAM制程，但是还不确定量产时间。 版权声明：文章来源于Moneydj理財網，转载请注明出处。
